Компания VISHAY представила интересный способ отведения тепла от излишне греющихся компонентов с помощью smd элементов формата 0603, 0805, 1206 и других размеров.
Тепло отводится к ближайшему удобному месту утилизации - общему радиатору, мощному печатному проводнику и т.д. без снижения параметров электрической изолированности компонентов. Подробности THJP.pdf
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
У компании INFINEON есть интересный полевой транзистор в корпусе TDSON-8 FL под названием BSC010N04LS.
При smd размерах 5х6х1 мм его постоянный ток стока составляет 100А, а в импульсе - 400А, а сопротивление открытого канала всего 1 миллиОм . DATASHEET PDF
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
fido5000, Innovasic, Inc.
Характеристики микросхемы fido5000:
- тип микросхемы: универсальный двухпортовый Eternet-коммутатор реального времени;
- поддерживаемые стандарты: PROFINET RT и IRT, EtherNet/ IP с/без DLR, ModbusTCP, SERCOS III, POWERLINK, EtherCAT;
- интерфейс с процессором: 32/16-битный с циклом передачи данных от 24 нс;
- порты Ethernet для связи с внешними PHY: RMII, MII или GMII;
- напряжение питания: 3,3 В;
- диапазон рабочих температур: -40…85 °C;
- корпусное исполнение: 324-выводной UBGA.
- fido5000 datasheet PDF
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) реально имеют шансы основательно потеснить силовые кремниевые MOSFET-ты благодаря меньшим RDS(on) и заряду затвора. Чем меньше RDS(on) , тем меньше тепла в атмосферу ; чем меньше заряд затвора, тем меньше потерь энергии при переключении, что тем актуальнее, чем выше частота. Показатель FOM, рассчитываемый как произведение заряда затвора Qg и RDS(on) , у транзисторов eGaN четвертого поколения в несколько раз меньше по сравнению с лучшими их кремниевыми MOSFET-собратьями. Пожалуйста, EPC2023 (datasheet), например.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Компания Texas Instruments произвела на свет весьма интересную микросхему питания, представляющую собой понижающий DC-DC преобразователь с уже встроенной индуктивностью, что, несомненно, повышает ее привлекательность в глазах разработчиков. Миниатюрные размеры (9х11х2,8 мм) модуля TPS84250 (datasheet PDF) и КПД до 96 % также не являются отталкивающими факторами. Texas Instruments производит также обновленную версию LMZ35003(datasheet PDF) с аналогичными параметрами.
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
EV12AS350A - аналого-цифровой преобразователь с производительностью 5,4 Гвыб/с . Компания e2v известна благодаря своим продуктам и решениями для различных ответственных приложений. EV12AS350A стал результатом более чем 20-летней последовательной работы и вобрал в себя лучшие качества своих предшественников: высокую скорость, высокое соотношение сигнал/шум, широкий динамический диапазон.
EV12AS350A стал результатом более чем 20-летней последовательной работы и вобрал в себя лучшие качества своих предшественников: высокую скорость, высокое соотношение сигнал/шум, широкий динамический диапазон.
EV12AS350A стал результатом более чем 20-летней последовательной работы и вобрал в себя лучшие качества своих предшественников: высокую скорость, высокое соотношение сигнал/шум, широкий динамический диапазон.
Характеристики EV12AS350A:
- число АЦП в корпусе: 4;
- режимы работы: различное мультиплексирование 1:1, 1:2, 1:3, 1:4;
- разрядность каждого АЦП: 12-бит;
- общая частота тактирования: 5,4 ГГц LVDS;
- частота тактирования каждого АЦП: 1,35 ГГц;
- частота преобразований: 1,35 Гвыб/с; 2,7 Гвыб/с; 5,4 Гвыб/с;
- задержка сигнала: 26 системных тактов;
- входной сигнал: дифференциальный 1000 мВ;
- коммуникационный интерфейс: SPI;
- питающие напряжения: 1,8 В; 3,3 В; 4,8 В;
- потребляемая мощность: 7 Вт;
- диапазон рабочих температур: 0…90 °C Commercial “C” Grade (EV12AS350ACTP, EV12AS350ACTPY); -40…+110 °C Industrial “V” Grade (EV12AS350AVTP, EV12AS350AVTPY);
- корпусное исполнение: 31 x 31 мм EBGA380 шаг 1,27 мм.
Более подробная техническая информация: DATASHEET EV12AS350A